DMT3009LFVWQ-13-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:45A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:6mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET的連續漏極電流為45A，最大漏源電壓為30V，導通電阻為6毫歐，柵源驅動電壓最高可達20V。器件在高電流工作條件下仍能保持較低的導通損耗，適用于對效率和熱性能有較高要求的電源轉換場合。其電氣參數組合使其適合用于開關頻率較高的電路中，能夠有效支持負載切換與功率調節功能，滿足多種電子系統對可靠功率控制的需求。
