DMT35M4LPSW-13-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備80A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），在柵源電壓（VGS）為20V時，導通電阻（RDS(ON)）典型值為4.7毫歐。器件結構優化了導通與開關特性，適用于對效率和熱性能要求較高的中低壓電源系統。其低導通電阻有助于降低功率損耗，提升整體能效，適合用于高電流開關電路、直流-直流轉換器及類似功率管理應用中。
