GT55N06D5_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:65A 參數2：VDSS:60V 參數3：RDON:8mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備65A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為60V，導通電阻低至8毫歐，柵源驅動電壓最高可達20V。其低導通電阻有助于減少導通損耗，提升整體效率，適用于對功率密度和熱性能有較高要求的電源轉換、電機驅動及開關電源等應用場景。器件結構支持快速開關操作，在高頻率工作條件下仍能保持穩定性能。
