NVMFS5C673NLWFT1G_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:65A 參數2：VDSS:60V 參數3：RDON:8mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有65A的連續漏極電流（ID）和60V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至8mΩ，在柵源電壓（VGS）高達20V時仍能穩定工作。器件采用標準封裝，適用于對導通損耗和效率要求較高的電源轉換、電機驅動及開關電源等應用場合。其低導通電阻有助于減少發熱，提升系統整體能效，同時具備良好的開關特性，適合高頻操作環境。
