NTD4909NAT4G-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:7mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有60A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導通電阻低至7毫歐。其低RDS(ON)有助于顯著降低導通損耗，在高電流工作條件下維持較低的溫升。適用于高效電源轉換、電池供電系統、電動工具以及對功率密度和熱性能有較高要求的電子設備中，能夠支持穩定可靠的開關操作。
