FDMS0348-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5.7mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備60A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，在導通狀態下具有低至5.7毫歐的導通電阻（RDS(on)）。其低導通電阻有助于減少功率損耗，提升系統效率，適用于對電流承載能力和熱性能要求較高的電源管理、電機驅動及高頻開關等應用場景。器件結構優化了開關特性與導通性能之間的平衡，適合在緊湊型高密度電路中使用。
