GSFN3908_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:45A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:6mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備45A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為6毫歐，最大柵源電壓（VGS）為20V。低導通電阻有助于降低導通狀態下的功率損耗，提升整體效率。適用于高頻率開關、電源轉換、電機控制及各類需要高效能功率開關的電子系統中，能夠在緊湊布局下維持良好的熱性能與電氣穩定性。
