STD60N3LH5-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:7mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備60A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為7毫歐。低導通電阻有助于在高電流工作條件下有效降低功率損耗與溫升，提升整體能效。適用于開關電源、電池管理系統、電動工具及各類需要高效能功率開關的電子設備中。其電氣特性適合在高頻或大電流應用場景下穩定運行，滿足對緊湊布局和熱管理有要求的設計需求。
