IRF8113TRPBF-1_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:18A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有18A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導通電阻低至5毫歐，在柵源電壓高達20V的條件下穩定工作。其低導通電阻有助于減少導通損耗，提升整體效率，適用于對功率密度和熱性能有較高要求的電源管理、電池供電設備及各類高效開關電路中。器件結構優化了開關特性，適合高頻應用場景，同時具備良好的線性區控制能力，便于在模擬或混合信號環境中實現精確調節。
