AON7566_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:120A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:2.9mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有120A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導通電阻低至2.9毫歐。其低導通電阻有助于減少導通損耗，提升整體效率，適用于對功率密度和熱性能要求較高的電源管理場景。器件結構支持快速開關操作，在高頻率工作條件下仍能保持穩定性能，適合用于各類高效能電子系統中的功率轉換與控制環節。
