NTMFS4943NT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有30V的漏源擊穿電壓（VDSS）、80A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(ON)）為4.7毫歐，柵源電壓（VGS）最大額定值為20V。其低導通電阻與高電流能力相結合，適用于高效率電源轉換、大電流負載開關、同步整流以及電池供電系統中的功率管理等應用。器件在高頻開關條件下仍能保持較低的功耗和溫升，有助于提升整體電路的能效與可靠性。
