NTTFS4C05NTAG-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:120A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:2.9mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有120A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至2.9毫歐。其高電流承載能力與極低導通損耗相結合，適用于對效率和熱性能要求較高的電源轉換及功率管理場景。器件結構優化了開關特性，在高頻工作條件下仍能保持穩定性能，適合用于各類緊湊型、高密度的電子系統中，滿足對高效能功率開關元件的需求。
