DMG7702SFG-13-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:35A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:7.5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有35A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至7.5毫歐。器件在高電流負載下表現出優異的導通性能，適用于對效率和熱管理要求較高的電源轉換、電池管理系統及各類便攜式電子設備中的開關應用。其低導通電阻有助于減少功率損耗，提升整體能效，同時支持高頻操作，滿足緊湊型電路設計的需求。
