AONS36308_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.3mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備30V的漏源擊穿電壓（VDSS）和60A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(ON)）低至4.3毫歐，柵源電壓（VGS）額定最大值為20V。其極低的導通電阻有助于顯著降低導通損耗，在高電流應用場景中提升能效表現。適用于電源轉換、電池管理系統、電機驅動及大電流開關電路等場合，能夠有效支持高頻開關操作并維持較低溫升，滿足對功率密度和熱性能有較高要求的設計需求。
