NTMFS4C028NT3G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:90A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:3.5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備90A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）僅為3.5毫歐，柵源驅動電壓（VGS）最高可達20V。低導通電阻有效降低導通狀態下的功率損耗，適用于高效率電源轉換、大電流開關電路及各類需要快速開關響應的電子系統。其高電流承載能力與低阻特性使其在緊湊型高密度設計中具有良好的熱表現和電氣性能。
