NTMFS4833NST3G_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:150A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:1.4mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道MOSFET具有150A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導通電阻僅為1.4毫歐，柵源驅動電壓最高可達20V。憑借極低的導通電阻，器件在大電流工作狀態下能有效抑制功耗與溫升，適用于高密度電源模塊、電池供電系統及需要高效功率開關的電子設備。其電氣特性支持快速開關操作，在維持低損耗的同時提升系統響應速度與運行穩定性。
