FDMS0349-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:50A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:6.5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道MOSFET具備50A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓（VDSS）為30V，在柵源電壓（VGS）為20V時導通電阻（RDS(ON)）低至6.5mΩ。其極低的導通電阻顯著降低導通損耗，適合高電流、高效率要求的開關應用。典型用途包括大功率電源轉換、電池管理系統以及高密度電力電子模塊，能夠在緊湊布局中維持良好的熱性能與電氣穩定性。
