SIRA28BDP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:50A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:6.5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備50A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）、6.5毫歐的導通電阻（RDS(ON)）以及20V的最大柵源電壓（VGS）。其低導通電阻有助于顯著降低導通損耗，在高頻率開關應用中維持較高的能效。適用于電源轉換、電池保護電路及各類需要高效功率控制的電子系統，能夠支持大電流負載下的穩定運行。
