RQ3E130BNTB-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:55A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有55A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至4.7毫歐，在柵源電壓（VGS）高達±20V時仍能穩定工作。其低導通電阻有助于減少導通損耗，提升整體效率，適用于對功率密度和熱性能有較高要求的電源管理、電機驅動及開關轉換等應用場景。器件結構優化了開關特性，適合高頻操作環境下的高效能需求。
