DMT35M1LFVW-13-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:70A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:3.5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備70A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）僅為3.5毫歐。低導通電阻有效降低導通狀態下的功率損耗，提升系統能效。器件適用于高效率電源管理、同步整流、電機控制及高頻開關電路等場合，在緊湊型電子設備中可實現優異的熱性能與電氣性能平衡。其參數特性支持在高電流密度下穩定運行，滿足對空間和效率敏感的設計需求。
