RQ3E180GNTB-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:70A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:3.5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET支持70A的連續(xù)漏極電流，最大漏源電壓為30V，導通電阻低至3.5毫歐。其極低的導通電阻顯著降低了導通狀態(tài)下的功率損耗，有助于提升整體能效并減少散熱需求。適用于高電流密度的電源轉換、電池供電系統(tǒng)以及需要高效能量傳輸的電子裝置。器件在高頻開關條件下仍能保持良好的動態(tài)特性，適合對效率和熱管理有嚴格要求的應用場合。
