DMT35M1LFVW-7-HXY_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:70A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:3.5mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有70A的連續(xù)漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS），以及低至3.5毫歐的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）。其極低的導(dǎo)通電阻可顯著降低導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗，有助于提升系統(tǒng)整體效率并減少散熱需求。該器件適用于高電流、高效率要求的電源管理場合，如多相降壓轉(zhuǎn)換器、大功率負載開關(guān)及便攜式設(shè)備中的電源路徑控制等應(yīng)用，在高頻開關(guān)條件下仍能保持良好的電氣性能與穩(wěn)定性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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