SI4384DY-T1-E3-HXY_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:7.5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有15A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為7.5毫歐。其較低的導通電阻有助于減小功率損耗，提升系統效率，適用于中等電流水平的開關應用。該器件可廣泛用于電源管理模塊、便攜式設備供電系統、電機控制及各類對體積與能效有要求的電子裝置中。
