NTMS4807NR2G-HXY_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:18A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備18A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）、5毫歐的導通電阻（RDS(ON)），以及20V的最大柵源電壓（VGS）。其較低的導通電阻有助于在導通狀態下減少功率損耗，提升系統效率。該器件適用于對能效和熱管理有一定要求的電源轉換、負載開關及同步整流等應用場景，在緊湊型電子設備中可提供穩定的功率處理能力。
