CSD17578Q3AT_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:45A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:6mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有45A的連續(xù)漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至6mΩ，最大柵源電壓（VGS）為20V。其極低的導通電阻有助于顯著降低導通損耗，在高電流工作條件下維持較低溫升。適用于高效電源轉換、電機驅動、電池管理系統及各類需要頻繁開關操作的電子設備中，能夠在高頻應用場景下保持良好的電氣性能與穩(wěn)定性。
