IPD040N03LGATMA1-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:120A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:3mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有120A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導通電阻低至3毫歐。器件適用于對效率和熱性能要求較高的電源管理場景，其低導通電阻有助于減少功率損耗，提升系統整體能效。由于具備高電流承載能力和較低的導通壓降，可廣泛用于各類直流開關電路、電池管理系統及高效同步整流拓撲中，滿足緊湊型設計對空間與散熱的嚴苛需求。
