IRLR8113TRLPBF-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有80A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至5毫歐。其低導通電阻特性有效減小了在大電流工作時的功率損耗與發熱，適用于對效率和熱性能要求較高的電源開關、電池充放電控制及高密度功率轉換等應用場合，在高頻或持續高負載條件下仍能保持穩定的電氣特性。
