NTD4969NT4G-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:7mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有60A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS），以及7毫歐的導通電阻（RDS(ON)）。其參數組合使其在中等功率開關應用中具備良好的導通特性和熱表現。適用于電源管理、直流-直流轉換器、電機驅動及高效率負載開關等場合，能夠在頻繁開關和持續電流負載條件下保持穩定運行。
