SUD50N03-09P-GE3-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:7mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有60A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至7mΩ。器件在高電流負載下仍能保持較低的導通損耗，適用于對效率和熱性能要求較高的電源管理場景。其低阻抗特性有助于減小功率轉換過程中的能量損耗，提升系統整體能效。該MOSFET結構設計適合需要快速開關響應及穩定導通表現的應用場合。
