NVD4809NT4G-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:7mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備60A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為7毫歐。在中高電流應用場景中，其較低的導通電阻有助于有效抑制導通損耗，提升整體能效。適用于開關電源、電池供電系統及各類高效功率轉換電路，能夠在高頻操作下維持良好的熱穩定性和開關特性，滿足對空間和效率有要求的電子設計需求。
