AON7422G_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有60A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至4毫歐。其低導通電阻有效減小了導通損耗，有助于提升整體能效與熱性能。適用于對電流承載能力和開關效率要求較高的場合，如電源管理模塊、電機驅動電路及高頻開關應用中的功率控制環節，能夠支持穩定可靠的運行表現。
