RQ3E100BNTB_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:35A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:7.5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有35A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至7.5毫歐。其低導通電阻有助于減少導通損耗，提升系統效率，適用于對功率密度和熱性能有較高要求的電源管理、電機驅動及開關轉換等應用場景。器件結構支持快速開關特性，在高頻工作條件下仍能保持穩定性能，適合用于各類緊湊型電子設備中的高效能量控制與分配。
