DMN3011LFVW-7-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:35A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:7.5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有35A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至7.5毫歐。器件采用標準封裝，適用于對導通損耗和效率要求較高的電源管理場景。其低RDS(ON)有助于減少發熱，提升系統整體能效，適合用于各類中低電壓開關電路，包括負載開關、同步整流及電池供電設備中的功率控制模塊。
