SI4880DY-T1-E3-HXY_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:7.5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備15A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為7.5毫歐。在導通狀態下，較低的電阻值有助于減少功率損耗與發熱，提升整體能效。器件適用于對效率和熱性能敏感的電源管理、便攜式電子設備以及高頻開關電路等場景，能夠在緊湊布局中維持良好的電氣性能與穩定性。
