ISL9N306AD3ST-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有80A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為5毫歐。器件在高電流工作條件下表現出較低的導通損耗，有助于提升系統整體效率。適用于開關電源、電池供電設備、電機驅動及高密度功率轉換等應用場合，能夠在高頻開關操作中保持良好的熱穩定性和電氣性能。
