NVD4810NT4G_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:7mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET支持60A的連續漏極電流，最大漏源電壓為30V，導通電阻低至7毫歐。其低導通電阻有效降低導通損耗，有助于提升系統整體效率。適用于高電流、高頻率運行的電源轉換電路、電池管理系統以及便攜式設備中的功率開關應用。器件在高頻開關條件下仍能保持良好的熱穩定性和較低的溫升，適合對空間和散熱有嚴格限制的緊湊型電子設計。
