SIRA18BDP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5.7mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET支持60A的連續漏極電流，最大漏源電壓為30V，導通電阻僅為5.7毫歐。低導通電阻有效降低導通損耗，提升系統能效，適用于高電流密度的電源轉換、電機控制及各類開關電源拓撲結構。其電氣特性適合在高頻工作條件下保持穩定性能，同時具備良好的熱穩定性和線性區響應能力，便于實現精準的功率調節與高效能量傳輸。
