MCG6D0N03YL-TP_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:55A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備55A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）僅為4.7毫歐，柵源驅動電壓（VGS）額定值為20V。其低導通電阻有助于顯著降低導通損耗，在高電流工作條件下維持較低溫升。該器件適用于對效率和熱性能要求較高的電源轉換、電池管理及各類中低壓功率開關應用，能夠支持頻繁開關操作并保持穩定電氣特性。
