SI4420DYTR_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:18A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道MOSFET具有30V的漏源擊穿電壓（VDSS）和18A的連續漏極電流（ID），在導通狀態下其導通電阻（RDS(ON)）低至5毫歐，適用于高效率電源開關場合。器件柵源驅動電壓（VGS）最高可達±20V，確保在多種驅動條件下穩定工作。憑借低導通損耗與高電流承載能力，該器件適合用于對能效和熱性能要求較高的電子系統中，如電源管理模塊、電池保護電路及高效DC-DC轉換器等。
