AO4498EL_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:18A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有30V的漏源擊穿電壓（VDSS）和18A的連續漏極電流（ID），在柵源電壓（VGS）為20V時，導通電阻（RDS(ON)）低至5毫歐。器件采用標準增強型結構，適用于對導通損耗和效率要求較高的電源管理、電池供電系統及各類開關電路中。其低導通電阻有助于減少發熱，提升整體能效，同時支持高頻開關操作，滿足緊湊型電子設備對高性能功率開關的需求。
