AO4578_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:18A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有30V的漏源擊穿電壓（VDSS）和18A的最大連續漏極電流（ID），在導通狀態下其導通電阻（RDS(ON)）低至5毫歐，適用于對效率和熱性能要求較高的電源管理場景。器件柵源電壓（VGS）額定值為±20V，確保在寬驅動電壓范圍內穩定工作。憑借低導通損耗與高電流承載能力，該MOSFET可有效支持各類開關電源、負載開關及功率轉換模塊中的高效能需求。
