SIS496EDNT-T1-GE3-HXY_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:60A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:4mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有60A的連續(xù)漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）低至4毫歐。器件采用標(biāo)準(zhǔn)封裝結(jié)構(gòu)，適用于對(duì)導(dǎo)通損耗和效率要求較高的電源管理場(chǎng)景。其低RDS(ON)特性有助于減少發(fā)熱，提升系統(tǒng)整體能效，適合用于高頻率開(kāi)關(guān)電路及大電流負(fù)載控制等應(yīng)用中，能夠穩(wěn)定可靠地實(shí)現(xiàn)高效電能轉(zhuǎn)換與控制。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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