MBRA2H100T3G-HXY_SMA_肖特基二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SMA 類別：肖特基二極管 最小包裝：2000/圓盤 參數1：IF:2A 參數2：VR:100V 參數3：VF:0.85V 參數4：IR:100uA 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該肖特基二極管采用獨立式結構，額定平均正向電流（IF）為2A，最大反向重復峰值電壓（VR）達100V。其正向壓降（VF）典型值為0.85V，有助于降低導通損耗；在反向偏置條件下，漏電流（IR）不超過100μA，表現出良好的阻斷能力。器件可承受高達50A的非重復峰值正向浪涌電流（IFSM），適用于高頻整流、開關電源輸出級以及對效率和熱性能有較高要求的電子電路中。
