NTMFS4C09NCT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有80A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，在導通狀態下其導通電阻低至4.7毫歐，柵源驅動電壓最高可達20V。憑借低導通電阻與高電流承載能力，該器件適用于對效率和熱性能要求較高的電源管理、電機驅動及高頻開關等應用場景，能夠有效降低導通損耗并提升系統整體能效。
