RJK5030DPD-02#J2_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:5A 參數2：VDSS:500V 參數3：RDON:1300mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道MOSFET的漏源擊穿電壓（VDSS）為500V，連續漏極電流（ID）為5A，導通電阻（RDS(ON)）為1300毫歐。器件在柵極施加足夠正向電壓時導通，適用于中等功率的開關應用。典型使用場景包括電源適配器、LED驅動、小型電機控制及各類電子設備中的功率開關電路，能夠滿足對電壓耐受與通態損耗的基本要求。
