SIHD5N50D-GE3_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:5A 參數2：VDSS:500V 參數3：RDON:1300mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備500V的漏源擊穿電壓（VDSS）、5A的連續漏極電流（ID）以及1300毫歐的導通電阻（RDS(ON)）。其電氣特性適用于需要較高電壓耐受能力與中等電流處理能力的開關電路。在實際應用中，可用于電源適配器、LED驅動、家用電器控制板及各類電子系統中的功率開關或負載控制環節，能夠在保證安全工作區的同時維持基本的導通效率。
