MDD5N50D_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:5A 參數2：VDSS:500V 參數3：RDON:1300mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET的漏源擊穿電壓（VDSS）為500V，連續漏極電流（ID）為5A，導通電阻（RDS(ON)）為1300毫歐。器件適用于需要中等電流和較高電壓耐受能力的電子電路，如開關電源、電源適配器及各類功率控制模塊。其參數特性支持在高頻開關操作中保持較低的導通損耗，同時兼顧電壓安全裕度，適合對穩定性和效率有一定要求的通用電子設備應用場景。
