SIR168DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:90A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:3.5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備90A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）僅為3.5毫歐，柵源驅動電壓（VGS）額定值為20V。其極低的導通電阻有效降低導通損耗，在大電流工作條件下仍能保持良好的熱性能。適用于高效率電源轉換、電機控制、電池管理系統及各類需要高電流開關能力的電子設備中。
