FDD5N50FTF_WS_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:5A 參數2：VDSS:500V 參數3：RDON:1300mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET的漏源擊穿電壓（VDSS）為500V，連續漏極電流（ID）為5A，導通電阻（RDS(ON)）為1300毫歐。器件結構適用于中等功率的開關應用，在需要較高耐壓和穩定導通性能的電路中表現可靠。典型應用場景包括電源轉換、電機驅動、照明控制及各類電子設備中的功率開關功能，其參數組合兼顧了耐壓能力與導通損耗之間的平衡。
