AONR36366_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:120A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:2.9mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET支持120A的連續漏極電流，漏源電壓額定值為30V，導通電阻低至2.9毫歐。其極低的導通電阻顯著減少導通狀態下的功率損耗，有助于提升系統整體效率并降低溫升。適用于高電流密度的電源轉換、服務器供電模塊、電動工具驅動以及需要高效熱管理的電子設備。器件結構適合高頻開關操作，可在緊湊型設計中提供穩定可靠的性能表現。
